Transistor N-Channel MOSFET renforcé radiations CSLCDM22011-225F - Euromip

Transistor N-Channel MOSFET renforcé radiations CSLCDM22011-225F

Spatial

Défense

Produit

Caractéristiques

Téléchargement

Transistor N-Channel MOSFET renforcé radiations CSLCDM22011-225F

Fabricant: Central Semiconductor

Référence: CSLCDM22011-225F

- TO-220FP boîtier
- Haute Tension
- Faible charge à l'entrée / Low gate charge : Qgs = 4.45nC TYP
- rDS ultra faible / Ultra low rDS(ON) (0.3Ω TYP)
- TID = 10kRad