MOSFET de puissance en mode d’amélioration à N-channel 2N6661
Fabricant:
TT Electronics - Semelab
Référence:
2N6661
- VDSS = 90 V
- Id = 0.9 A
- RDS= 4 Ω , Ciss = 50 pF
- Commutation rapide
- Tension de seuil basse
- Boitier métallique hermétique TO-39
