Les diodes mélangeuses à barrière Schottky en silicium faisceau-plomb de Skyworks sont conçues pour des applications jusqu'à 40 GHz. La conception faisceau-conducteur réduit le problème de la liaison à la très petite zone caractéristique des jonctions à faible capacité. Les diodes mélangeuses à barrière Schottky à conducteur de faisceau sont fabriquées par le dépôt d'un métal barrière approprié sur un substrat de silicium épitaxial pour former la jonction. Le processus et le choix des matériaux se traduisent par une faible résistance série avec une plage étroite de valeurs de capacité pour un contrôle d'impédance étroit. Une variété de tensions directes sont disponibles, allant de valeurs faibles pour des niveaux d'entraînement d'oscillateur local faibles ou faibles à des valeurs élevées pour des applications de mélangeur à entraînement élevé et à faible distorsion. Les diodes faisceau-plomb sont disponibles dans une large gamme de boîtiers. Les plages de capacité et les résistances en série sont comparables aux dispositifs en boîtier disponibles via la bande K.
-Faible bruit 1/f
-Faible distorsion d'intermodulation
-Emballages époxy et hermétiques
-Fabrication de plaquettes contrôlées par SPC
-Cj 0 V, 1 MHz (pF): 0,05-0,15
-Max. Rs SI = 5 mA (Ω) :13
-Min. Vb@ 10 µA (V):3
-Vf@ 1 mA (mV) :350-450