DSM8100-000 est conçu pour une faible résistance, une faible capacité et un temps de commutation rapide. Les couches de passivation oxyde-nitrure offrent un fonctionnement fiable et des paramètres de jonction stables qui fournissent une étanchéité complète de la jonction permettant une utilisation dans des assemblages avec un certain degré d'étanchéité à l'humidité. Une couche de verre apporte une résistance mécanique accrue.
Le DSM8100 est idéal pour les circuits microruban ou triplaque et pour les circuits nécessitant une isolation élevée par rapport à une diode montée en série, tels que les commutateurs multidirectionnels à large bande, les déphaseurs, les limiteurs, les atténuateurs et les modulateurs.
-Faible capacité
-Faible résistance
-Commutation rapide
-Passivation oxyde-nitrure
-Vb Ir= 10 µA (V):60
-Max. Cj @ 10 V (pF) :0,025
-Max. Rs à 10 mA (Ω) :3.5
-Max. Ti @ 10 mA (ns): 25
-Construction durable